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参数资料
型号： AOW480
厂商： Alpha & Omega Semiconductor Inc
文件页数： 1/7页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 80V 15A TO262
标准包装： 50
系列： SDMOS™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 15A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 4.5 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 140nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 7820pF @ 40V
功率 - 最大： 1.9W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装： TO-262
包装： 管件
AOW480
80V N-Channel MOSFET
SDMOS TM
General Description
Product Summary
The AOW480 is fabricated with SDMOS TM trench
technology that combines excellent R DS(ON) with low gate
charge & low Q rr .The result is outstanding efficiency with
controlled switching behavior. This universal technology is
well suited for PWM, load switching and general purpose
V DS
I D (at V GS =10V)
R DS(ON) (at V GS =10V)
R DS(ON) (at V GS = 7V)
80V
180A
< 4.5m ?
< 5.5m ?
applications.
100% UIS Tested
100% R g Tested
TO-262
D
Top View
Bottom View
G
G
D
S
S
D
G
S
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Maximum
80
±25
Units
V
V
Continuous Drain
Current G
Pulsed Drain Current C
T C =25°C
T C =100°C
I D
I DM
180
134
500
A
Continuous Drain
Current
Avalanche Current
C
T A =25°C
T A =70°C
I DSM
I AS ,I AR
15
12
90
A
A
Avalanche energy L=0.1mH C
E AS ,E AR
405
mJ
Power Dissipation B
Power Dissipation A
T C =25°C
T C =100°C
T A =25°C
T A =70°C
P D
P DSM
333
167
1.9
1.2
W
W
Junction and Storage Temperature Range
T J , T STG
-55 to 175
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Typ
Max
Units
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient A D
Maximum Junction-to-Case
t ≤ 10s
Steady-State
Steady-State
R θ JA
R θ JC
12
54
0.35
15
65
0.45
°C/W
°C/W
°C/W
Rev0: July 2011
www.aosmd.com
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PDF描述
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