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参数资料
| 型号： | AOW480 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 15A TO262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SDMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7820pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.9W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
AOW480
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
1000.0
360
320
280
100.0
10.0
T A =25 ° C
T A =150 ° C
T A =125 ° C
T A =100 ° C
240
200
160
120
80
40
0
1
10 100 1000
Time in avalanche, t A ( μ s)
0
25
50 75 100 125
T CASE (°C)
150
175
200
160
120
Figure 12: Single Pulse Avalanche capability
(Note C)
1000
100
Figure 13: Power De-rating (Note F)
T A =25 ° C
17
5
80
40
0
10
1
2
10
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0001
0.01
1 100 10000
Figure 15: Single Pulse Power Rating 18
10
T CASE (°C)
Figure 14: Current De-rating (Note F)
D=T on /T
T J,PK =T A +P DM .Z θ JA .R θ JA
Pulse Width (s) 0
Junction-to-
Ambient (Note H)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
R θ JA =65 ° C/W
40
0.1
P D
0.01
T on
0.001
Single Pulse
T
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 16: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note H)
Rev0: July 2011
www.aosmd.com
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参数描述 |
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| AOW4S60 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:aMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AOW7S60 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:aMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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