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参数资料
| 型号： | AOW480 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 15A TO262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SDMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7820pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.9W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
AOW480
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
240
50
36
1.5
di/dt=800A/ μ s
125oC
42
32
di/dt=800A/ μ s
125oC
200
28
160
120
Q rr
I rm
25oC
125oC
34
26
18
24
20
16
12
t rr
S
25oC
125oC
25oC
1
0.5
25oC
10
8
80
2
4
0
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
I S (A)
Figure 17: Diode Reverse Recovery Charge and Peak
Current vs. Conduction Current
I S (A)
Figure 18: Diode Reverse Recovery Time and
Softness Factor vs. Conduction Current
240
40
50
2
200
I s =20A
125oC
30
40
125oC
I s =20A
1.5
160
30
25oC
120
25oC
20
t rr
1
80
40
Q rr
125oC
25oC
10
20
10
25oC
S
0.5
I rm
125oC
0
0
0
0
0
200
400
600
800
1000
0
200
400
600
800
1000
di/dt (A/ μ s)
Figure 19: Diode Reverse Recovery Charge and Peak
Current vs. di/dt
di/dt (A/ μ s)
Figure 20: Diode Reverse Recovery Time and
Softness Factor vs. di/dt
Rev0: July 2011
www.aosmd.com
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