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参数资料
| 型号： | AOW480 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 15A TO262 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SDMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7820pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.9W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
AOW480
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
200
180
160
10V
6.5V
7V
6V
150
V DS =5V
120
120
5.5V
90
80
60
40
5V
30
125 ° C
25 ° C
V GS =4.5V
0
0
0
1
2
3
4
5
2
3
4
5
6
7
7
V DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
2.2
V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
6
5
4
V GS =7V
2
1.8
1.6
1.4
V GS =10V
I D =20A
17
5
2
10
3
2
V GS =10V
1.2
1
0.8
V GS =7V
I D =20A
0
5
10
15
20
25
30
0
25
50
75
100
125
150
175
200
I D (A)
Temperature (°C)
0
18
9
8
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
I D =20A
1.0E+02
1.0E+01
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
7
125 ° C
40
1.0E+00
125 ° C
25 ° C
6
5
1.0E-01
1.0E-02
4
25 ° C
1.0E-03
3
4
5
6
7 8 9 10
1.0E-04
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
V SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
Rev0: July 2011
www.aosmd.com
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参数描述 |
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