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参数资料
| 型号： | AOT1606L |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 178A TO220 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 178A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.3 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.7V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 102nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 785-1411-5 |
AOT1606L/AOB1606L
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
100
80
10V
5.5V
100
80
V DS =5V
60
40
5V
60
40
20
V GS =4.5V
20
125 ° C
25 ° C
0
0
0
1
2 3 4
5
0
1
2 3 4 5
6
8
V DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
2.2
2.0
V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
6
1.8
V GS =10V
I D =20A
4
2
V GS =10V
1.6
1.4
1.2
17
5
2
10
1.0
0
0.8
18
0
5 10 15 20 25 30
I D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
0
25 50 75 100 125 150 175 200
Temperature (°C) 0
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
15
12
I D =20A
1.0E+02
1.0E+01
40
1.0E+00
9
6
125 ° C
1.0E-01
1.0E-02
125 ° C
25 ° C
3
0
25 ° C
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
V SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
Rev0: May 2011
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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