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参数资料
| 型号： | AOT4N60 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.2 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 615pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 104W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 785-1187-5 |
AOT4N60/AOTF4N60
600V,4A N-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
The AOT4N60 & AOTF4N60 have been fabricated using
an advanced high voltage MOSFET process that is
designed to deliver high levels of performance and
robustness in popular AC-DC applications.
By providing low R DS(on) , C iss and C rss along with
guaranteed avalanche capability these parts can be
adopted quickly into new and existing offline power supply
designs.
V DS
I D (at V GS =10V)
R DS(ON) (at V GS =10V)
100% UIS Tested
700V@150 ℃
4A
< 2.2 ?
100% R g Tested
For Halogen Free add "L" suffix to part number:
AOT4N60L & AOTF4N60L
TO-220
Top View
TO-220F
D
G
D
S
AOT4N60
G
D
S
AOTF4N60
G
S
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
AOT4N60
600
±30
AOTF4N60
Units
V
V
Continuous Drain
Current
T C =25°C
T C =100°C
I D
4
2.7
4*
2.7*
A
Pulsed Drain Current C
I DM
16
Avalanche Current C
Repetitive avalanche energy C
Single plused avalanche energy G
MOSFET dv/dt ruggedness
Peak diode recovery dv/dt
I AR
E AR
E AS
dv/dt
2.5
94
188
50
5
A
mJ
mJ
V/ns
Power Dissipation B
T C =25°C
Derate above 25 o C
P D
104
0.83
35
0.28
W
W/ o C
Junction and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering
purpose, 1/8" from case for 5 seconds
T J , T STG
T L
-55 to 150
300
°C
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient A,D
Maximum Case-to-sink A
Maximum Junction-to-Case
Symbol
R θ JA
R θ CS
R θ JC
AOT4N60
65
0.5
1.2
AOTF4N60
65
--
3.6
Units
°C/W
°C/W
°C/W
* Drain current limited by maximum junction temperature.
Rev.10.0: October 2013
www.aosmd.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOW480 | MOSFET N-CH 80V 15A TO262 |
| AP1608SF4C | LED IR SMD 120 DEGREE 0.4LM |
| AP2012SF4C | LED IR CLEAR GAALAS SMT |
| APA3010F3C-GX | INFRARED EMITTING DIODE 940NM |
| APA3010F3C | EMITTER IR 3.0X1.0MM RA SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AOT4N60_12 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:600V,4A N-Channel MOSFET |
| AOT4S60 | 制造商:SHENZHENFREESCALE 制造商全称:ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd 功能描述:600V 4A a MOS TM Power Transistor |
| AOT4S60L | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:aMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AOT500 | 功能描述:MOSFET N-CH CLAMPED 80A TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AOT500L | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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