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参数资料
| 型号： | AOT4N60 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.2 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 615pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 104W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 785-1187-5 |
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
15
V DS =480V
10000
12
I D =4A
1000
C iss
9
6
100
C oss
3
0
10
1
C rss
0
5
10 15
20
0.1
1 10
100
100
Q g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100
V DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
10
10 μ s
10
10 μ s
1
R DS(ON)
limited
100 μ s
1ms
1
R DS(ON)
limited
100 μ s
1ms
DC
10ms
10ms
0.1
T J(Max) =150 ° C
T C =25 ° C
0.1
T J(Max) =150 ° C
T C =25 ° C
DC
0.1s
1s
0.01
0.01
1
10
100
1000
1
10
100
1000
5
4
3
2
1
0
V DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area for AOT4N60 (Note F)
V DS (Volts)
Figure 10: Maximum Forward Biased Safe Operating
Area for AOTF4N60 (Note F)
0
25
50
75 100 125
150
T CASE (°C)
Figure 11: Current De-rating (Note B)
Rev.10.0: October 2013
www.aosmd.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOW480 | MOSFET N-CH 80V 15A TO262 |
| AP1608SF4C | LED IR SMD 120 DEGREE 0.4LM |
| AP2012SF4C | LED IR CLEAR GAALAS SMT |
| APA3010F3C-GX | INFRARED EMITTING DIODE 940NM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AOT4N60_12 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:600V,4A N-Channel MOSFET |
| AOT4S60 | 制造商:SHENZHENFREESCALE 制造商全称:ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd 功能描述:600V 4A a MOS TM Power Transistor |
| AOT4S60L | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:aMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AOT500 | 功能描述:MOSFET N-CH CLAMPED 80A TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AOT500L | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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