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参数资料
| 型号： | AOT4N60 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.2 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 615pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 104W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 785-1187-5 |
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Vgs
Qg
+
10V
VDC
-
DUT
+
VDC
-
Vds
Qgs
Qgd
Vgs
Ig
Charge
Res istive Switching Test Circuit & Waveforms
RL
Vds
Vds
Rg
Vgs
DUT
+
VDC
-
Vdd
90%
10%
Vgs
Vgs
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t on
t off
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
Vds
L
E AR = 1/2 LI
2
AR
BV DSS
Id
Vds
Rg
Vgs
Vgs
+
VDC
-
Vdd
Id
I AR
DUT
Vgs
Vds +
DUT
Vgs
Diode Recovery Tes t Circuit & Waveforms
Q rr = - Idt
Vgs
Vds -
Ig
Vgs
Isd
L
VDC + Vdd
-
Isd
Vds
I F
dI/dt
I RM
t rr
Vdd
Rev.10.0: October 2013
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| AOT500 | 功能描述:MOSFET N-CH CLAMPED 80A TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AOT500L | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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