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参数资料
| 型号： | AOT4N60 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.2 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 615pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 104W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 785-1187-5 |
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
8
10V
100
6
4
2
6V
6.5V
10
1
V DS =40V
125 ° C
-55 ° C
0
V GS =5.5V
0.1
25 ° C
0
5
10
15
20
25
30
2
4
6 8
10
4.0
3.5
V DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
3
2.5
V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
3.0
2
V GS =10V
I D =2A
2.5
2.0
1.5
V GS =10V
1.5
1
0.5
1.0
0
1 2 3 4 5 6 7 8 9
I D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
0
-100 -50 0 50 100 150 200
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
Voltage
1.2
1.0E+02
1.0E+01
40
1.1
1.0E+00
125 ° C
1.0E-01
1
1.0E-02
25 ° C
0.9
0.8
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T J (°C)
Figure 5:Break Down vs. Junction Temparature
V SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
Rev.10.0: October 2013
www.aosmd.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOW480 | MOSFET N-CH 80V 15A TO262 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AOT4N60_12 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:600V,4A N-Channel MOSFET |
| AOT4S60 | 制造商:SHENZHENFREESCALE 制造商全称:ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd 功能描述:600V 4A a MOS TM Power Transistor |
| AOT4S60L | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:aMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AOT500 | 功能描述:MOSFET N-CH CLAMPED 80A TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AOT500L | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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