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参数资料
| 型号： | AON7421 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH 20V 50A DFN3.3X3.3EP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 114nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4550pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 6.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（3.3x3.3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1309-6 |
AON7421
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
1000
100
T A =25 ° C
T A =100 ° C
80
100
10
1
T A =150 ° C
T A =125 ° C
60
40
20
0
1
10
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
70
60
50
Time in avalanche, t A ( μ s)
Figure 12: Single Pulse Avalanche capability
(Note C)
10000
1000
T CASE (°C)
Figure 13: Power De-rating (Note F)
T A =25 ° C
17
40
30
20
10
0
100
10
1
5
2
10
0
25
50
75
100
125
150
0.00001
0.001
0.1
10 0
1000
18
T CASE (°C)
Figure 14: Current De-rating (Note F)
Pulse Width (s)
Figure 15: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note H)
10
D=T on /T
T J,PK =T A +P DM .Z θ JA .R θ JA
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
0.1
0.01
0.001
R θ JA =55 ° C/W
Single Pulse
40
P D
T on
T
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 16: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note H)
Rev.2.0: May 2013
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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