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参数资料
| 型号： | AON7460 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOS N CH 300V 4A DFN3X3A_EP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 830 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 380pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1313-6 |
AON7460
300V,4A N-Channel MOSFET
General Description
The AON7460 is fabricated using an advanced high voltage
Product Summary
MOSFET process that is designed to deliver high levels of
performance and robustness in popular AC-DC
applications.By providing low R DS(on) , C iss and C rss along with
guaranteed avalanche capability this device can be adopted
V DS
I D (at V GS =10V)
R DS(ON) (at V GS =10V)
350V@150 ℃
4A
< 0.83 ?
quickly into new and existing offline power supply
designs.This device is ideal for boost converters and
synchronous rectifiers for consumer, telecom, industrial
power supplies and LED backlighting.
100% UIS Tested!
100% R g Tested!
Top View
DFN 3x3A_EP
Bottom View
S
S
S
G
Top View
D
D
D
D
G
D
Pin 1
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
S
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Maximum
300
±30
Units
V
V
Continuous Drain
Current B
Pulsed Drain Current
C
T C =25°C
T C =100°C
I D
I DM
4
2.5
13
A
Continuous Drain
Current
Avalanche Current
C
T A =25°C
T A =70°C
I DSM
I AR
1.2
1.0
2.1
A
A
Repetitive avalanche energy C
Single pulsed avalanche energy G
Peak diode recovery dv/dt
E AR
E AS
dv/dt
66
132
5
mJ
mJ
V/ns
Power Dissipation B
Power Dissipation A
T C =25°C
T C =100°C
T A =25°C
T A =70°C
P D
P DSM
33
13
3.1
2
W
W
W
Junction and Storage Temperature Range
T J , T STG
-50 to 150
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Typ
Max
Units
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient A D
Maximum Junction-to-Case
t ≤ 10s
Steady-State
Steady-State
R θ JA
R θ JC
30
60
3.1
40
75
3.7
°C/W
°C/W
°C/W
Rev 0: Mar 2011
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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