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参数资料
| 型号： | AON7460 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOS N CH 300V 4A DFN3X3A_EP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 830 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 380pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1313-6 |
AON7460
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
40
30
5.0
4.0
3.0
20
2.0
10
1.0
0
0.0
0
25
50
75 100 125
150
0
25
50 75 100 125
150
T CASE ( ° C)
Figure 12: Power De-rating (Note B)
T CASE ( ° C)
Figure 13: Current De-rating (Note B)
100
T J(Max) =150 ° C
80
60
40
20
0
T A =25 ° C
0.0001
0.001
0.01 0.1 1 10
Pulse Width (s)
100
1000
Figure 14: Single Pulse Power Rating Junction-to-Ambient (Note G)
10
D=T on /T
In descending order
1
0.1
0.01
T J,PK =T A +P DM .Z θ JA .R θ JA
R θ JA =75 ° C/W
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
P D
0.001
Single Pulse
T on
T
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 15: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note G)
Rev 0: Mar 2011
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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