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参数资料
| 型号： | AON7460 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOS N CH 300V 4A DFN3X3A_EP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 830 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 380pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1313-6 |
AON7460
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
8
10V
100
V DS =40V
6.5V
10
-55 ° C
6
125 ° C
4
6.0V
1
2
0
V GS =5.5V
0.1
25 ° C
0
5
10 15 20
25
2
4
6 8
10
2.0
V DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
3
V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
1.5
1.0
V GS =10V
2.5
2
1.5
V GS =10V
I D =1.2A
1
0.5
0.5
0.0
0
0
2
4
6
8
10
-100
-50
0
50
100
150
200
1.2
I D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
1.0E+01
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1.1
1.0E+00
40
1.0E-01
125 ° C
25 ° C
1
1.0E-02
0.9
0.8
1.0E-03
1.0E-04
-100
-50
0
50 100 150 200
0.2
0.4
0.6 0.8
1.0
T J ( o C)
Figure 5: Break Down vs. Junction Temperature
V SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Rev 0: Mar 2011
www.aosmd.com
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