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参数资料
| 型号： | AON7460 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOS N CH 300V 4A DFN3X3A_EP |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 830 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 380pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1313-6 |
AON7460
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
15
1000
12
9
V DS =240V
I D =1.2A
100
10
C iss
C oss
6
3
1
C rss
0
0
0
2 4 6 8
Q g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
10
0.1
1 10
V DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
100
100
400
10
1
0.1
R DS(ON)
limited
DC
10 μ s
100 μ s
1ms
10ms
300
200
100
T J(Max) =150 ° C
T C =25 ° C
T J(Max) =150 ° C
0.01
0
1
10
100
1000
0.0001
0.001
0.01 0.1 1 10
10
V DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
D=T on /T
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Case (Note F)
In descending order
1
T J,PK =T C +P DM .Z θ JC .R θ JC
R θ JC =3.7 ° C/W
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0.1
P D
0.01
Single Pulse
T on
T
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Rev 0: Mar 2011
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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