- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录394 > AON2405 (Alpha & Omega Semiconductor Inc)MOSFET P CH 20V 8A DFN 2x2B Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | AON2405 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P CH 20V 8A DFN 2x2B |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 32 毫欧 @ 8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1025pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN-EP（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1392-6 |
AON2405
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Vgs
Qg
-10V
VDC
VDC
Vds
Qgs
Qgd
DUT
Vgs
Ig
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
RL
Vds
t on
t off
Vgs
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Vgs
DUT
VDC
Vdd
90%
Rg
Vgs
Vds
Id
L
Vds
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
2
E AR = 1/2 LI AR
Vds
10%
Vgs
Vgs
VDC
Vdd
BV DSS
Vgs
Vds +
Rg
DUT
Id
Vgs
Diode Recovery Test Circuit & Waveforms
Q rr = - Idt
I AR
DUT
Vgs
Vds -
Ig
Isd
Vgs
L
VDC + Vdd
-
-Isd
-Vds
-I F
dI/dt
-I RM
t rr
Vdd
Rev 2 : Sep. 2012
www.aosmd.com
Page 5 of 5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AON6232 | MOSFET N CH 40V 85A DFN5X6 |
| AON6244 | MOSFET N CH 60V 85A DFN5X6 |
| AON6918 | MOSF 2N CH 25V 60/85A DFN5X6A |
| AON7421 | MOSF P CH 20V 50A DFN3.3X3.3EP |
| AON7423 | MOSF P CH 20V 50A DFN3.3X3.3EP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AON2406 | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin DFN EP T/R 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 20V 8A 6LDFN |
| AON2407 | 功能描述:MOSFET P CH 30V 6.3A DFN 2x2B RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AON2408 | 功能描述:MOSFET N CH 20V 8A DFN 2x2B RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AON2409 | 功能描述:MOSFET P CH 30V 8A DFN 2x2B RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AON2410 | 功能描述:MOSFET N CH 30V 8A DFN 2x2B RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。