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参数资料
| 型号： | AON2405 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P CH 20V 8A DFN 2x2B |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 32 毫欧 @ 8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1025pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN-EP（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1392-6 |
AON2405
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
5
V DS =-10V
1400
I D =-8A
1200
C iss
4
1000
3
2
800
600
1
400
200
C oss
0
0
C rss
0
3
6 9 12
15
0
5 10 15
20
100.0
Q g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
200
-V DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
10.0
1.0
R DS(ON)
limited
10 μ s
10 μ s 100 μ s
1ms
10ms
DC
160
120
T J(Max) =150 ° C
T A =25 ° C
17
5
80
2
0.1
0.0
T J(Max) =150 ° C
T A =25 ° C
40
0
10
18
10
0.01 0.1 1 10
-V DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
D=T on /T
T J,PK =T C +P DM .Z θ JC .R θ JC
100
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10
0
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note H)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
R θ JC =80 ° C/W
40
0.1
P D
0.01
0.001
Single Pulse
T on
T
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note H)
Rev 2 : Sep. 2012
www.aosmd.com
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