参数资料
型号: AON6232
厂商: Alpha & Omega Semiconductor Inc
文件页数: 1/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N CH 40V 85A DFN5X6
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 85A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.5 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.3V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3800pF @ 20V
功率 - 最大: 2.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-DFN-EP(5x6)
包装: 标准包装
其它名称: 785-1331-6
AON6232
40V N-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
The AON6232 uses trench MOSFET technology that is
uniquely optimized to provide the most efficient high
frequency switching performance.Power losses are
minimized due to an extremely low combination of
R DS(ON) and Crss.In addition,switching behavior is well
V DS
I D (at V GS =10V)
R DS(ON) (at V GS =10V)
R DS(ON) (at V GS = 4.5V)
40V
85A
< 2.5m ?
< 3.6m ?
controlled with a "Schottky style" soft recovery body
diode.
100% UIS Tested
100% R g Tested
Top View
DFN5X6
Bottom View
1
2
3
Top View
8
7
6
D
4
PIN1
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
5
G
S
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Maximum
40
±20
Units
V
V
Continuous Drain
Current G
Pulsed Drain Current
Continuous Drain
Current
C
T C =25°C
T C =100°C
T A =25°C
T A =70°C
I D
I DM
I DSM
85
67
260
22
17
A
A
Avalanche Current C
Avalanche energy L=0.1mH C
I AS , I AR
E AS , E AR
60
180
A
mJ
Power Dissipation B
Power Dissipation A
T C =25°C
T C =100°C
T A =25°C
T A =70°C
P D
P DSM
83
33
2.3
1.4
W
W
Junction and Storage Temperature Range
T J , T STG
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Typ
Max
Units
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient A D
Maximum Junction-to-Case
t ≤ 10s
Steady-State
Steady-State
R θ JA
R θ JC
14
40
1.1
17
55
1.5
°C/W
°C/W
°C/W
Rev 0: August 2011
www.aosmd.com
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