参数资料
型号: AON6232
厂商: Alpha & Omega Semiconductor Inc
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N CH 40V 85A DFN5X6
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 85A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.5 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.3V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3800pF @ 20V
功率 - 最大: 2.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-DFN-EP(5x6)
包装: 标准包装
其它名称: 785-1331-6
AON6232
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
1000
100
100
10
T A =25
T A =150
C
C
T A =125
T A =100
C
C
80
60
40
20
1
0
1
10 100
Time in avalanche, t A ( μ s)
Figure 12: Single Pulse Avalanche capability
1000
0
25 50 75 100 125
T CASE (°C)
Figure 13: Power De-rating (Note F)
150
(Note C)
100
10000
80
60
40
1000
100
T A =25
C
17
5
2
10
10
20
0
1
0
25
50
75 100 125
150
0.00001
0.001 0.1 10 0 1000
T CASE (°C)
Figure 14: Current De-rating (Note F)
Pulse Width (s) 18
Figure 15: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note H)
10
D=T on /T
T J,PK =T A +P DM .Z θ JA .R θ JA
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
R θ JA =55
C/W
40
0.1
P D
0.01
Single Pulse
T on
T
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 16: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note H)
Rev 0: August 2011
www.aosmd.com
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