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参数资料
| 型号： | AON6232 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 40V 85A DFN5X6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.3V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3800pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（5x6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1331-6 |
AON6232
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
1000
100
100
10
T A =25
T A =150
C
C
T A =125
T A =100
C
C
80
60
40
20
1
0
1
10 100
Time in avalanche, t A ( μ s)
Figure 12: Single Pulse Avalanche capability
1000
0
25 50 75 100 125
T CASE (°C)
Figure 13: Power De-rating (Note F)
150
(Note C)
100
10000
80
60
40
1000
100
T A =25
C
17
5
2
10
10
20
0
1
0
25
50
75 100 125
150
0.00001
0.001 0.1 10 0 1000
T CASE (°C)
Figure 14: Current De-rating (Note F)
Pulse Width (s) 18
Figure 15: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note H)
10
D=T on /T
T J,PK =T A +P DM .Z θ JA .R θ JA
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
R θ JA =55
C/W
40
0.1
P D
0.01
Single Pulse
T on
T
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 16: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note H)
Rev 0: August 2011
www.aosmd.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AON6232A | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 35A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Ta），85A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.9 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3250pF @ 20V 功率 - 最大值:6.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线 供应商器件封装:8-DFN（5x6） 标准包装:1 |
| AON6234 | 功能描述:MOSFET N CH 40V 85A DFN5X6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AON6236 | 功能描述:MOSFET N CH 40V 30A DFN5X6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AON6240 | 功能描述:MOSFET N CH 40V 85A DFN5X6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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