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参数资料
| 型号： | AON6232 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 40V 85A DFN5X6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.3V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3800pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（5x6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1331-6 |
AON6232
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
V DS =20V
4000
8
I D =20A
3500
3000
C iss
6
2500
2000
C oss
4
1500
1000
2
500
C rss
0
0
0
5
10
15
20 25 30 35
40
45
0
10
20 30
40
1000.0
Q g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
200
V DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
T J(Max) =150
C
100.0
R DS(ON)
10 μ s
10 μ s
160
T C =25
C
10.0
1.0
T J(Max) =150
T C =25 C
C
DC
100 μ s
1ms
10ms
120
80
17
5
2
10
0.1
0.0
40
0
0
18
0.01
0.1 1 10
V DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased
Safe Operating Area (Note F)
100
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-Case
(Note F)
10
D=T on /T
T J,PK =T C +P DM .Z θ JC .R θ JC
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
0.1
R θ JC =1.5
C/W
40
P D
T on
0.01
Single Pulse
T
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Rev 0: August 2011
www.aosmd.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| AON6234 | 功能描述:MOSFET N CH 40V 85A DFN5X6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AON6236 | 功能描述:MOSFET N CH 40V 30A DFN5X6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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