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参数资料
| 型号： | AON6918 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF 2N CH 25V 60/85A DFN5X6A |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | * |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A，85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1560pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AON6918
25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
The AON6918 is designed to provide a high efficiency
Q1
Q2
synchronous buck power stage with optimal layout and
board space utilization. It includes two specialized
MOSFETs in a dual Power DFN5x6A package. The Q1
"High Side" MOSFET is designed to minimize switching
losses. The Q2 "Low Side" MOSFET is designed for low
V DS
I D (at V GS =10V)
R DS(ON) (at V GS =10V)
R DS(ON) (at V GS = 4.5V)
25V
60A
<5.2m ?
<7.8m ?
25V
85A
<1.8m ?
<2.7m ?
R DS(ON) to reduce conduction losses. The AON6918 is well
suited for use in compact DC/DC converter applications.
100% UIS Tested
100% Rg Tested
DFN5X6A
Top View
Bottom View
S2
S2
S2
G2
(S1/D2)
PIN1
D1
D1
G1
D1
D1
Top View
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
Bottom View
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Max Q1
25
±20
Max Q2
Units
V
V
Continuous Drain
Current G
Pulsed Drain Current C
T C =25°C
T C =100°C
I D
I DM
60
38
200
85
66
490
A
Continuous Drain
Current
Avalanche Current
C
T A =25°C
T A =70°C
I DSM
I AS , I AR
15
12
40
26.5
21
78
A
A
Avalanche Energy L=0.1mH
C
E AS , E AR
80
304
mJ
Power Dissipation
B
T C =25°C
T C =100°C
P D
31
12.5
104
41.5
W
Power Dissipation A
T A =25°C
T A =70°C
P DSM
2
1.3
2.2
1.4
W
Junction and Storage Temperature Range
T J , T STG
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Typ Q1
Typ Q2
Max Q1 Max Q2
Units
Maximum Junction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient A
AD
Maximum Junction-to-Case
t ≤ 10s
Steady-State
Steady-State
R θ JA
R θ JC
25
50
3.1
20
45
0.9
30 25
60 55
4 1.2
°C/W
°C/W
°C/W
Rev0 : Aug 2011
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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