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参数资料
| 型号： | AON6918 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF 2N CH 25V 60/85A DFN5X6A |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | * |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A，85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1560pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AON6918
Q1-CHANNEL: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
120
100
100
10V
4.5V
4V
80
V DS =5V
80
6V
60
60
40
40
3V
20
20
125°C
25°C
V GS =2.5V
0
0
0
1
2
3
4
5
1.5
2
2.5 3 3.5
4
7
V DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
1.8
V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
6
5
4
V GS =4.5V
V GS =10V
1.6
1.4
1.2
V GS =10V
I D =20A
17
V GS =4.5V
I D =20A 2
10
1
3
0.8
0
18
0
5 10 15 20 25 30
I D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage (Note E)
0
25 50 75 100 125 150
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature (Note E)
175
12
1.0E+02
10
8
125°C
I D =20A
1.0E+01
40
1.0E+00
1.0E-01
6
1.0E-02
125°C
4
2
25°C
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
25°C
3
4
5
6 7 8 9 10
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
V GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
Rev 0 : Aug 2011
www.aosmd.com
V SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
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PDF描述 |
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