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参数资料
| 型号： | AON6918 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF 2N CH 25V 60/85A DFN5X6A |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | * |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A，85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1560pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AON6918
Q1-CHANNEL: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
V DS =15V
2000
8
I D =20A
C iss
1500
6
1000
4
2
500
C rss
C oss
0
0
0
5
10 15
Q g (nC)
20
0
5
10
15 20 25
V DS (Volts)
30
1000.0
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
1000
Figure 8: Capacitance Characteristics
100.0
R DS(ON)
10 μ s
800
T J(Max) =150°C
10.0
limited
100us
1ms
600
T C =25°C
1.0
0.1
0.0
T J(Max) =150°C
T C =25°C
DC
10ms
400
200
0
0.01
0.1
1 10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
10
V DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
D=T on /T
T J,PK =T C +P DM .Z θ JC .R θ JC
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Case (Note F)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
0.1
0.01
R θ JC =4°C/W
P D
0.001
Single Pulse
T on
T
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Rev 0 : Aug 2011
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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