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参数资料
| 型号： | AON6918 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF 2N CH 25V 60/85A DFN5X6A |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | * |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A，85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.2 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1560pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AON6918
Q2-CHANNEL: TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
1000
T A =25°C
120
100
T A =100°C
80
100
T A =125°C
60
40
T A =150°C
20
10
0
0.000001
0.00001 0.0001 0.001
0
25
50
75 100 125
150
100
80
60
Time in avalanche, t A (s)
Figure 12: Single Pulse Avalanche capability
(Note C)
10000
1000
T CASE (°C)
Figure 13: Power De-rating (Note F)
T A =25°C
17
5
40
20
0
100
10
2
10
0
25
50
75 100 125
T CASE (°C)
150
1
0.00001
0.001
0.1
Pulse Width (s)
0
10 18
1000
Figure 14: Current De-rating (Note F)
Figure 15: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note G)
10
D=T on /T
T J,PK =T A +P DM .Z θ JA .R θ JA
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
0.1
0.01
R θ JA =55°C/W
Single Pulse
40
P D
T on
T
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1 1 10 100
1000
Pulse Width (s)
Figure 16: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note G)
Rev 0 : Aug 2011
www.aosmd.com
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PDF描述 |
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