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参数资料
| 型号： | AON2405 |
| 厂商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P CH 20V 8A DFN 2x2B |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 32 毫欧 @ 8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1025pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN-EP（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 785-1392-6 |
AON2405
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
60
-4.5V
25
V DS =-5V
50
-4V
-3V
20
40
30
-2.5V
-2V
15
10
20
125 ° C
10
0
V GS =-1.5V
5
0
25 ° C
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
80
-V DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
1.6
-V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
60
V GS =-1.5V
1.4
V GS =-2.5V
I D =-6A
V GS =-1.8V
I D =-5A
V GS =-1.8V
17
40
V GS =-2.5V
1.2
5
2
10
Figure 4: On-Resistance vs. Junction 18
20
0
0
V GS =-4.5V
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
-I D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
1
0.8
0
25 50 75 100 125 150 175
V GS =-4.5V
I D =-8A
(Note E)
Temperature (°C) 0
Temperature
80
70
I D =-8A
1.0E+02
1.0E+01
60
40
1.0E+00
125 ° C
1.0E-01
50
125 ° C
1.0E-02
25 ° C
40
1.0E-03
30
20
25 ° C
1.0E-04
1.0E-05
0
2
4 6 8 10
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
-V GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
-V SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
Rev 2 : Sep. 2012
www.aosmd.com
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