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参数资料
| 型号： | AOI4185 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 50 A, 40 V, 0.015 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封装： | GREEN, TO-251A, IPAK-3 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 300K |
| 代理商： | AOI4185 |
Symbol
VDS
VGS
IDM
IAR
EAR
TJ, TSTG
Symbol
Typ
Max
15
20
41
50
RθJC
2
2.4
Maximum Junction-to-Case
D,F
TC=100°C
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A,G
t ≤ 10s
RθJA
°C/W
Drain-Source Voltage
Steady-State
TA=25°C
PDSM
TC=25°C
Maximum Junction-to-Ambient
A,G
Steady-State
Power Dissipation
A
Junction and Storage Temperature Range
PD
-115
-42
88
V
±20
Gate-Source Voltage
TA=70°C
Power Dissipation
B
Avalanche Current
C
Repetitive avalanche energy L=0.1mH
C
A
mJ
ID
Pulsed Drain Current
C
-50
-35
Continuous Drain
Current
B,H
Maximum
Units
Parameter
TC=25°C
TC=100°C
-40
Absolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise noted
V
°C
62.5
31
-55 to 175
W
2.5
1.6
AOD4185/AOI4185
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
VDS (V) = -40V
ID = -50A
(VGS = -10V)
RDS(ON) < 15m (VGS = -10V)
RDS(ON) < 20m (VGS = -4.5V)
100% UIS Tested!
100% Rg Tested!
General Description
The AOD4185/AOI4185 uses advanced trench
technology to provide excellent RDS(ON) and low gate
charge. With the excellent thermal resistance of the
DPAK/IPAK package, this device is well suited for high
current applications.
-RoHS Compliant
-Halogen Free*
G
D
S
G
TO-251A
IPAK
Top View
S
Bottom View
D
S
G
D
TO252
DPAK
Top View
Bottom View
G
S
D
G
S
D
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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