- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录48365 > AOD403 (ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR) 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AOD403 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封装： | GREEN, DPAK-3 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 505K |
| 代理商： | AOD403 |
AOD403/AOI403
30V P-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
VDS
ID (at VGS= -20V)
-70A
RDS(ON) (at VGS= -20V)
< 6.2m
RDS(ON) (at VGS = -10V)
< 8m
100% UIS Tested
100% Rg Tested
Symbol
VDS
The AOD403/AOI403 uses advanced trench technology
to provide excellent RDS(ON), low gate charge and low gate
resistance. With the excellent thermal resistance of the
DPAK/IPAK package, this device is well suited for high
current load applications.
V
Maximum
Units
Parameter
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
-30V
Drain-Source Voltage
-30
TO252
DPAK
Top View
Bottom View
G
S
D
G
S
D
G
D
S
G
D
S
Top View
Bottom View
TO251A
IPAK
VDS
VGS
IDM
IAS, IAR
EAS, EAR
TJ, TSTG
Symbol
t ≤ 10s
Steady-State
RθJC
Maximum Junction-to-Case
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A D
0.9
50
1.1
W
Power Dissipation
A
PDSM
W
TA=70°C
136
1.6
TA=25°C
-55
TC=25°C
TC=100°C
Power Dissipation
B
PD
Continuous Drain
Current
125
-15
-50
A
TA=25°C
IDSM
A
TA=70°C
-200
Pulsed Drain Current
C
Continuous Drain
Current
G
ID
-70
V
±25
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
-30
Avalanche energy L=0.1mH
C
mJ
Avalanche Current
C
-12
A
°C
Thermal Characteristics
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A
°C/W
RθJA
16
41
20
Parameter
Typ
Max
TC=25°C
2.5
68
TC=100°C
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 175
TO252
DPAK
Top View
Bottom View
G
S
D
G
S
D
G
D
S
G
D
S
Top View
Bottom View
TO251A
IPAK
Rev 8: May 2011
www.aosmd.com
Page 1 of 6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOI472A | 50 A, 25 V, 0.0052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOL1426 | 46 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6704 | 85 A, 30 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6718 | 80 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP01N40J | 0.5 A, 400 V, 16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AOD403_030 | 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），70A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），90W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.2 毫欧 @ 20A，20V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 |
| AOD403_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AOD403_13 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AOD403_DELTA | 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），70A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），90W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.2 毫欧 @ 20A，20V 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak） 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 |
| AOD403L | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。