- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录48365 > AOD403 (ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR) 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AOD403 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封装： | GREEN, DPAK-3 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 505K |
| 代理商： | AOD403 |
AOD403/AOI403
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
17
5
2
10
0
18
0
20
40
60
80
100
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
-I
D
(A
)
-V
GS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
R
D
S
(O
N
)
(m
)
-I
D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage (Note E)
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
25
50
75
100
125
150
175
200
N
o
rm
a
li
z
e
d
O
n
-R
e
s
is
ta
n
c
e
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
V
GS=-10V
I
D=-20A
V
GS=-20V
I
D=-20A
25°C
125°C
V
DS=-5V
V
GS=-10V
V
GS=-20V
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
-I
D
(A
)
-VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
V
GS=-4V
-4.5V
-6V
-10V
-5V
18
40
0
20
40
60
80
100
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
-I
D
(A
)
-V
GS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
R
D
S
(O
N
)
(m
)
-I
D (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage (Note E)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-I
S
(A
)
-V
SD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
25
50
75
100
125
150
175
200
N
o
rm
a
li
z
e
d
O
n
-R
e
s
is
ta
n
c
e
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
V
GS=-10V
I
D=-20A
V
GS=-20V
I
D=-20A
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
R
D
S
(O
N
)
(m
)
-V
GS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
25°C
125°C
V
DS=-5V
V
GS=-10V
V
GS=-20V
I
D=-20A
25°C
125°C
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
-I
D
(A
)
-VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
V
GS=-4V
-4.5V
-6V
-10V
-5V
Rev 8: May 2011
www.aosmd.com
Page 3 of 6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOI472A | 50 A, 25 V, 0.0052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOL1426 | 46 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6704 | 85 A, 30 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6718 | 80 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP01N40J | 0.5 A, 400 V, 16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AOD403_030 | 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），70A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），90W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.2 毫欧 @ 20A，20V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 |
| AOD403_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AOD403_13 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AOD403_DELTA | 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），70A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），90W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.2 毫欧 @ 20A，20V 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak） 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 |
| AOD403L | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。