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参数资料
| 型号： | AOD403 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封装： | GREEN, DPAK-3 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 505K |
| 代理商： | AOD403 |
AOD403/AOI403
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
2
4
6
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-V
G
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)
Q
g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
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F
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-VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
iss
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240
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0.0001
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P
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)
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
C
oss
C
rss
V
DS=-15V
I
D=-20A
T
J(Max)=175°C
T
C=25°C
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0.0
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-I
D
(A
m
p
s
)
-V
DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased
Safe Operating Area (Note F)
10
s
10ms
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)=175°C
T
C=25°C
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2
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-V
G
S
(V
o
lt
s
)
Q
g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
1000
2000
3000
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5000
0
5
10
15
20
25
30
C
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
-VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
iss
0
80
160
240
320
400
0.0001
0.001
0.01
0.1
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10
P
o
w
e
r
(W
)
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Case (Note F)
0.01
0.1
1
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0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
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Z
θθθθ
J
C
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t
T
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rm
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l
R
e
s
is
ta
n
c
e
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
C
oss
C
rss
V
DS=-15V
I
D=-20A
Single Pulse
D=T
on/T
T
J,PK=TC+PDM.Z
θJC.RθJC
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)=175°C
T
C=25°C
10
s
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0.01
0.1
1
10
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-I
D
(A
m
p
s
)
-V
DS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased
Safe Operating Area (Note F)
10
s
10ms
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)=175°C
T
C=25°C
100
s
RθJC=1.1°C/W
Rev 8: May 2011
www.aosmd.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOI472A | 50 A, 25 V, 0.0052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOL1426 | 46 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6704 | 85 A, 30 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6718 | 80 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP01N40J | 0.5 A, 400 V, 16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AOD403_030 | 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），70A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），90W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.2 毫欧 @ 20A，20V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 |
| AOD403_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AOD403_13 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AOD403_DELTA | 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），70A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），90W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.2 毫欧 @ 20A，20V 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak） 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 |
| AOD403L | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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