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参数资料
| 型号： | AOD403 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封装： | GREEN, DPAK-3 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 505K |
| 代理商： | AOD403 |
AOD403/AOI403
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
18
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(W
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CASE (°C)
Figure 13: Power De-rating (Note F)
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(A
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CASE (°
°°°C)
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P
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(W
)
Pulse Width (s)
Figure 15: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note H)
T
A=25°C
10.0
100.0
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C
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t
Time in avalanche, t
A (ms)
Figure 12: Single Pulse Avalanche capability
(Note C)
T
A=25°C
T
A=150°C
T
A=100°C
T
A=125°C
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Z
θθθθJ
A
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T
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n
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e
Pulse Width (s)
Figure 16: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note H)
Single Pulse
D=T
on/T
T
J,PK=TA+PDM.Z
θJA.RθJA
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0
30
60
90
120
150
0
25
50
75
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125
150
175
P
o
w
e
r
D
is
s
ip
a
ti
o
n
(W
)
T
CASE (°C)
Figure 13: Power De-rating (Note F)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
25
50
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125
150
175
C
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I D
(A
)
T
CASE (°
°°°C)
Figure 14: Current De-rating (Note F)
1
10
100
1000
10000
0.00001
0.001
0.1
10
1000
P
o
w
e
r
(W
)
Pulse Width (s)
Figure 15: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note H)
T
A=25°C
RθJA=50°C/W
10.0
100.0
1000.0
1
10
100
1000
-I
A
R
(A
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P
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a
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h
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C
u
rr
e
n
t
Time in avalanche, t
A (ms)
Figure 12: Single Pulse Avalanche capability
(Note C)
T
A=25°C
T
A=150°C
T
A=100°C
T
A=125°C
Rev 8: May 2011
www.aosmd.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOI472A | 50 A, 25 V, 0.0052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOL1426 | 46 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6704 | 85 A, 30 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AON6718 | 80 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP01N40J | 0.5 A, 400 V, 16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AOD403_030 | 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），70A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），90W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.2 毫欧 @ 20A，20V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 |
| AOD403_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AOD403_13 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET |
| AOD403_DELTA | 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），70A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），90W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.2 毫欧 @ 20A，20V 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak） 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 |
| AOD403L | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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