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参数资料
| 型号： | AON6718 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 80 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | 6 X 5 MM, GREEN, DFN-8 |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | AON6718 |
AON6718
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
17
5
2
10
0
18
40
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 16: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note H)
Z
θθθθJ
A
N
o
rm
a
li
z
e
d
T
ra
n
s
ie
n
t
T
h
e
rm
a
l
R
e
s
is
ta
n
c
e
Single Pulse
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
Ton
T
PD
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
Time in avalanche, tA (s)
Figure 12: Single Pulse Avalanche capability
(Note C)
I A
R
(A
)
P
e
a
k
A
v
a
la
n
c
h
e
C
u
rr
e
n
t
0
20
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60
80
100
0
25
50
75
100
125
150
TCASE (°C)
Figure 13: Power De-rating (Note F)
P
o
w
e
r
D
is
s
ip
a
ti
o
n
(W
)
0
20
40
60
80
100
0
25
50
75
100
125
150
TCASE (°C)
Figure 14: Current De-rating (Note F)
C
u
rr
e
n
t
ra
ti
n
g
I D
(A
)
TA=25°C
1
10
100
1000
10000
0.00001
0.001
0.1
10
1000
Pulse Width (s)
Figure 15: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note H)
P
o
w
e
r
(W
)
TA=25°C
TA=150°C
TA=100°C
TA=125°C
RθJA=60°C/W
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP01N40J | 0.5 A, 400 V, 16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AP02N40J | 1.6 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AP02N40H | 1.6 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AP02N40K-HF | 0.45 A, 400 V, 5.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| AP02N40P | 1.6 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AON6718L | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AON6718L_101 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta），80A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4463pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-DFN 供应商器件封装:8-DFN（5x6） 标准包装:1 |
| AON6748_101 | 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:停產 标准包装:3,000 |
| AON6748_102 | 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:停產 标准包装:3,000 |
| AON6752 | 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 30V 54A DFN5X6 |
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