参数资料
型号: AON7400
厂商: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR
元件分类: JFETs
英文描述: 26 A, 30 V, 0.0145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封装: 3 X 3 MM, GREEN, DFN-8
文件页数: 1/5页
文件大小: 157K
代理商: AON7400
Symbol
VDS
VGS
IDM
TJ, TSTG
Symbol
Typ
Max
30
40
60
75
RθJC
3.1
3.7
Junction and Storage Temperature Range
PD
°C
35
14
-55 to 150
TC=100°C
TA=70°C
Power Dissipation
B
W
Continuous Drain
Current
B,H
Maximum
Units
Parameter
TC=25°C
TC=100°C
30
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
V
3.1
2
10
A
ID
Pulsed Drain Current
C
9
26
20
80
TA=70°C
V
±12
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
Steady-State
Continuous Drain
Current
G
TA=25°C
IDSM
TA=25°C
PDSM
TC=25°C
Maximum Junction-to-Ambient
A
Steady-State
Power Dissipation
A
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Units
Maximum Junction-to-Ambient
A
t ≤ 10s
RθJA
°C/W
Maximum Junction-to-Case
D
AON7400
30V N-Channel MOSFET
Features
VDS (V) = 30V
ID =26A
(VGS = 10V)
RDS(ON) < 12.5m (VGS = 10V)
RDS(ON) < 14.5m (VGS = 4.5V)
General Description
The AON7400 uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate
charge. This device is suitable for use in DC - DC
converters and Load Switch applications.
G
D
S
DFN 3x3 EP
Top View
Bottom View
Pin 1
Top View
1
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8
7
6
5
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
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PDF描述
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