| 型号: | AON7400 |
| 厂商: | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类: | JFETs |
| 英文描述: | 26 A, 30 V, 0.0145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装: | 3 X 3 MM, GREEN, DFN-8 |
| 文件页数: | 1/5页 |
| 文件大小: | 157K |
| 代理商: | AON7400 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP02N60J-H | 1.4 A, 700 V, 8.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AP02N60H-H | 1.4 A, 700 V, 8.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AP02N70EJ | 1.6 A, 700 V, 7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AP03N40J-HF | 2.1 A, 400 V, 3.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AP03N70J-A-HF | 3.3 A, 650 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AON7400_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
| AON7400A | 功能描述:MOSFET N CH 30V 40A DFN3X3EP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AON7400AL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),40A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),25W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN(3x3) 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 标准包装:5,000 |
| AON7400AL_101 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),40A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),25W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN(3x3) 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 标准包装:5,000 |
| AON7400AL_102 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),40A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),25W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN(3x3) 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 标准包装:5,000 |