- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录51256 > AON7400 (ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR) 26 A, 30 V, 0.0145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AON7400 |
| 厂商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 26 A, 30 V, 0.0145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | 3 X 3 MM, GREEN, DFN-8 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | AON7400 |
AON7400
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
GS
(V
o
lts)
0
500
1000
1500
2000
0
5
10
15
20
25
30
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Cap
aci
tan
ce
(p
F
)
Ciss
Coss
Crss
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
0.01
0.1
1
10
100
VDS (Volts)
I D
(Am
p
s)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
10
s
10ms
1ms
DC
RDS(ON)
limited
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
100
s
VDS=15V
ID=10A
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note G)
Z
θJA
No
rm
al
iz
ed
T
ran
si
en
t
T
h
e
rm
al
Resi
stan
ce
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
RθJA=60°C/W
Ton
T
PD
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
Single Pulse
0
20
40
60
80
100
120
140
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note G)
Po
w
e
r(
W
)
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP02N60J-H | 1.4 A, 700 V, 8.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AP02N60H-H | 1.4 A, 700 V, 8.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AP02N70EJ | 1.6 A, 700 V, 7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AP03N40J-HF | 2.1 A, 400 V, 3.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AP03N70J-A-HF | 3.3 A, 650 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AON7400_11 | 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
| AON7400A | 功能描述:MOSFET N CH 30V 40A DFN3X3EP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| AON7400AL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），25W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN（3x3） 封装/外壳:8-SMD，扁平引线 标准包装:5,000 |
| AON7400AL_101 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），25W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN（3x3） 封装/外壳:8-SMD，扁平引线 标准包装:5,000 |
| AON7400AL_102 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），25W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN（3x3） 封装/外壳:8-SMD，扁平引线 标准包装:5,000 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。