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参数资料
| 型号： | APM2055NUC-TR |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | LJT 19C 19#12 SKT WALL RECP |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 149K |
| 代理商： | APM2055NUC-TR |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Feb., 2003
APM2055N
www.anpec.com.tw
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Typical Characteristics ( Cont.)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
R
D
-
)
I
D
=5A
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
R
D
-
)
(
On-Resistance vs. Junction Temperature
V
GS
=4.5V
I
D
=5A
T
J
- Junction Temperature (°C)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
C
Ciss
Coss
Crss
Gate Charge
Q
G
- Gate Charge (nC)
V
G
-
V
DS
=15V
I
D
=1.5A
Frequency=1MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| APM2070PD | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| APM2070PDC-TR | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| APM2070PDC-TRL | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| APM2055NVC-TR | 制造商:ANPEC 制造商全称:Anpec Electronics Coropration 功能描述:N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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