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参数资料
| 型号： | APM2070PD |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | P沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | APM2070PD |
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0.1
1
10
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1E-3
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1
2
Mounted on 1in
R
θ
JA
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2
pad
o
C/W
0.01
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0.05
0.1
0.2
Single Pulse
Duty = 0.5
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Power Dissipation
P
t
-
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
Drain Current
T
j
- Junction Temperature
-
D
-
Thermal Transient Impedance
N
Square Wave Pulse Duration (sec)
Safe Operation Area
-V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
-
D
-
0
20
40
60
80
100 120 140 160
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0.4
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1.4
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T
A
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o
C
0
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T
A
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o
C,V
G
=-4.5V
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DC
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