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参数资料
| 型号： | APM2103SGC-TRL |
| 厂商： | ANPEC ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | 2.5 A, 20 V, 0.11 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, JSC70-8, 8 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | APM2103SGC-TRL |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Jun., 2006
APM2103SG
www.anpec.com.tw
3
Electrical Characteristics ( Cont.)
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
APM2103SG
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ. Max.
Unit
Dynamic Characteristics
b
C
iss
Input Capacitance
360
C
oss
Output Capacitance
80
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
V
GS
=0V,
V
DS
=-10V,
Frequency=1.0MHz
50
pF
t
d(ON)
t
r
Turn-on Delay Time
8
15
Turn-on Rise Time
22
41
t
d(OFF)
t
f
Turn-off Delay Time
Turn-off Fall Time
29
32
53
59
V
DD
=-10V, R
L
=10
,
I
DS
=1A, V
GEN
=-4.5V,
R
G
=6
ns
t
rr
Reverse Recovery Time
14
ns
Q
rr
Reverse Recovery Charge
I
SD
=-2.5A
dl
SD
/dt =100A/μs
6
nc
Notes:
a : Pulse test ; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b : Guaranteed by design, not subject to production testing.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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