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参数资料
| 型号： | APM2103SGC-TRL |
| 厂商： | ANPEC ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | 2.5 A, 20 V, 0.11 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, JSC70-8, 8 PIN |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | APM2103SGC-TRL |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Jun., 2006
APM2103SG
www.anpec.com.tw
5
R
D
-
)
Drain-Source On Resistance
-I
D
- Drain Current (A)
T
j
- Junction Temperature (°C)
Gate Threshold Voltage
-V
DS
- Drain-Source Voltage (V)
I
D
-
Output Characteristics
Drain-Source On Resistance
-V
GS
- Gate - Source Voltage (V)
R
D
-
)
N
Typical Characteristics ( Cont.)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-1.5V
-2V
-2.5V
V
GS
= -3,-4, -5, -6, -7, -8, -9, -10V
0
2
4
6
8
10
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
V
GS
= -1.8V
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -2.5V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
40
60
80
100
120
140
160
180
I
D
= -2.5A
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
DS
=-250
μ
A
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PDF描述 |
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