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参数资料
| 型号： | APM2504NUC-TR |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 130K |
| 代理商： | APM2504NUC-TR |
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%
V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
I
D
-
Output Characteristics
R
D
-
)
Drain-Source On Resistance
I
D
- Drain Current (A)
Transfer Characteristics
V
GS
- Gate - Source Voltage (V)
I
D
-
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
Gate Threshold Voltage
N
&'$%($)*
0
1
2
3
4
5
6
7
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
T
j
=125
o
C
T
j
=25
o
C
T
j
=-55
o
C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
DS
=250
μ
A
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
3.5V
4.5V
5V
4V
3V
V
GS
= 6,7,8,9,10V
0
30
60
90
120
150
180
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
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PDF描述 |
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