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参数资料
| 型号： | APM2512N |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 205K |
| 代理商： | APM2512N |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Oct., 2003
www.anpec.com.tw
3
APM2512N
Typical Characteristics
I
D
D
Transfer Characteristics
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
Threshold Voltage vs. Junction Temperature
Tj - Junction Temperature (°C)
V
G
T
(
R
D
-
)
On-Resistance vs. Drain Current
I
D
- Drain Current (A)
Output Characteristics
I
D
-
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
T
j
=125
o
C
T
j
=25
o
C
T
j
=-55
o
C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
DS
=250
μ
A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
GS
=3V
V
GS
=4V
V
GS
=3.5V
V
GS
=2.5V
V
GS
=5,6,7,8,9,10V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0.012
0.014
0.016
0.018
0.020
0.022
0.024
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
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