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参数资料
| 型号： | APM2522NUC-TUL |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 244K |
| 代理商： | APM2522NUC-TUL |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Jun., 2006
www.anpec.com.tw
2
APM2522NU
Absolute Maximum R atings
Symbol
Parameter
Rating
Unit
Common Ratings
(T
A
= 25°C Unless Otherwise Noted)
V
DSS
Drain-Source Voltage
V
GSS
Gate-Source Voltage
T
J
Maximum Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature Range
I
S
Diode Continuous Forward Current
25
±20
V
150
°C
°C
A
-55 to 150
20
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
100
I
DP
300μs Pulse Drain Current Tested
70
A
Mounted on Large Heat Sink
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
30
*
I
D
Continuous Drain Current
20
50
A
P
D
Maximum Power Dissipation
20
W
R
θ
JC
Thermal Resistance-Junction to Case
2.5
°C/W
Mounted on PCB of 1in
2
Pad
Area
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
9
I
D
Continuous Drain Current
6
2.5
A
P
D
Maximum Power Dissipation
1
W
R
θ
JA
Thermal Resistance-Junction to Ambient
50
°C/W
Mounted on PCB of Minimum Footprint
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
7
I
D
Continuous Drain Current
4
A
1.5
P
D
Maximum Power Dissipation
0.5
°C/W
R
θ
JA
Thermal Resistance-Junction to Ambient
75
°C/W
Notes
* Current limited by bond wire.
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