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参数资料
| 型号： | APM2522NUC-TUL |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 244K |
| 代理商： | APM2522NUC-TUL |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Jun., 2006
www.anpec.com.tw
5
APM2522NU
V
DS
- Drain-Source Voltage (V)
I
D
-
Output Characteristics
R
D
-
)
Drain-Source On Resistance
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
- Gate - Source Voltage (V)
R
D
-
)
T
j
- Junction Temperature (°C)
Gate Threshold Voltage
N
Typical Characteristics ( Cont.)
Drain-Source On Resistance
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
10
20
30
40
50
60
3.5V
2.5V
4V
3V
V
GS
= 5,6,7,8,9,10V
0
5
10
15
20
25
30
5
10
15
20
25
30
35
V
GS
= 4.5V
V
GS
=10V
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
DS
=250
μ
A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
I
D
=20A
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