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参数资料
| 型号： | APM2700CCCTUL |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | 双增强型MOS管 |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | APM2700CCCTUL |
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R
D
-
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Drain-Source On Resistance
-I
D
- Drain Current (A)
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
Gate Threshold Voltage
-V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
-
D
-
Output Characteristics
Transfer Characteristics
-V
GS
- Gate - Source Voltage (V)
-
D
-
N
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0
1
2
3
4
0
2
4
6
8
10
-4V
-2V
-3V
V
GS
= -5,-6,-7,-8,-9,-10V
0
1
2
3
4
0
1
2
3
4
5
6
T
j
=125
o
C
T
j
=25
o
C
T
j
=-55
o
C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
=-250
μ
A
0
1
2
3
4
5
6
100
200
300
400
500
600
700
800
V
GS
= -2.5V
V
GS
= -4.5V
P-Channel
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PDF描述 |
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