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参数资料
| 型号： | APM2701CGC-TR |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual Enhancement Mode MOSFET (N and P-Channel) |
| 中文描述： | 双增强型MOS管（N和P沟道） |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 235K |
| 代理商： | APM2701CGC-TR |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Jun., 2006
www.anpec.com.tw
9
APM2701CG
-V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
Drain-Source On Resistance
N
T
j
- Junction Temperature (°C)
C
-V
SD
- Source - Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward
-
S
Capacitance
Gate Charge
Q
G
- Gate Charge (nC)
-
G
Typical Characteristics ( Cont.)
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
R
ON
@T
j
=25
o
C: 145m
V
GS
= -4.5V
I
DS
= -1.5A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
1
6
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
0
4
8
12
16
20
0
100
200
300
400
500
Frequency=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
V
DS
= -10V
I
DS
= -1.5A
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PDF描述 |
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参数描述 |
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