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参数资料
| 型号： | APM3054NV |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 213K |
| 代理商： | APM3054NV |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.2 - Aug., 2002
APM3054N
www.anpec.com.tw
4
Typical Characteristics
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
R
D
(
)
I
D
=6A
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.10
R
D
(
)
(
On-Resistance vs. Junction Temperature
V
GS
=10V
I
D
=12A
T
J
- Junction Temperature (°C)
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.10
R
D
(
)
On-Resistance vs. Junction Temperature
V
GS
=10V
I
DS
=12A
T
J
- Junction Temperature (°C)
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
15.0
0
2
4
6
8
10
Gate Charge
Q
G
- Gate Charge (nC)
V
G
-
V
DS
=15V
I
DS
=10A
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