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参数资料
| 型号： | APM3195PD |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | P沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | APM3195PD |
!"!##$
+
Electrical Characteristics (Cont.)
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
APM3195PD
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Dynamic Characteristics
b
R
G
Gate Resistance
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
t
d(ON)
Turn-on Delay Time
T
r
Turn-on Rise Time
t
d(OFF)
Turn-off Delay Time
T
f
Turn-off Fall Time
Notes:
a : Pulse test ; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b : Guaranteed by design, not subject to production testing.
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
11
510
70
V
GS
=0V,
V
DS
=-25V,
Frequency=1.0MHz
40
pF
10
20
8
20
25
50
V
DD
=-15V, R
L
=15
,
I
DS
=-1A, V
GEN
=-10V,
R
G
=6
5
15
ns
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PDF描述 |
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参数描述 |
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