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参数资料
| 型号： | APM3195PD |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | P沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | APM3195PD |
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1E-3
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
2
Mounted on 1in
R
θ
JA
:85
2
pad
o
C/W
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
Single Pulse
Duty = 0.5
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Power Dissipation
P
t
-
T
j
- Junction Temperature (
°
C)
Drain Current
T
j
- Junction Temperature
-
D
-
Thermal Transient Impedance
Square Wave Pulse Duration (sec)
Safe Operation Area
-V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
-
D
-
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
T
A
=25
o
C
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
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1.0
1.5
2.0
2.5
T
A
=25
o
C,V
G
=-10V
0.1
1
10
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0.1
1
10
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Rdson Lmt
1s
T
A
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o
C
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DC
N
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PDF描述 |
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参数描述 |
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