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参数资料
| 型号： | APM4410 |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 514K |
| 代理商： | APM4410 |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.5 - July., 2002
APM4410
www.anpec.com.tw
5
Typical Characteristics Cont.
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
10
50
Source-Drain Diode Forward Voltage
I
S
-
V
SD
-Source to Drain Voltage
T
J
=25
°
C
T
J
=150
°
C
0.01
0.1
1
10
0
20
40
60
80
Time (sec)
Single Pulse Power
P
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle , D=t1/t2
2. Per Unit Base=R
thJA
=50
°
C/W
3. T
-T
=P
Z
4. Surface Mounted
D=0.02
D=0.05
D=0.1
D=0.2
Duty Cycle=0.5
SINGLE PULSE
Normalized Transient Thermal Transient Impedence, Junction to Ambient
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