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参数资料
| 型号： | APM9933 |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | 双P沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | APM9933 |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.2 - Feb., 2003
www.anpec.com.tw
4
APM9933
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-50
-25
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75
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125
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0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
Typical Characteristics ( Cont.)
R
D
-
)
(
On-Resistance vs. Junction Temperature
-V
GS
=4.5V
-I
D
=3.4A
T
J
- Junction Temperature (°C)
-V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
C
Ciss
Coss
Crss
-V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
R
D
-
)
-I
D
=3.4A
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Gate Charge
Q
G
- Gate Charge (nC)
-
G
-
-V
DS
=6V
-I
D
=3.5A
Frequency=1MHz
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PDF描述 |
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