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参数资料
| 型号： | APM9966CKC-TR |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | 双N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | APM9966CKC-TR |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.3 - Mar., 2003
www.anpec.com.tw
4
APM9966/ C
0
4
8
12
16
20
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
-50
-25
0
25
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75
100
125
150
0.00
0.25
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0.75
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1.25
1.50
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
Typical Characteristics
0.5V
Threshold Voltage vs. Junction Temperature
Tj - Junction Temperature (°C)
V
G
T
(
I
DS
=250uA
R
D
-
)
On-Resistance vs. Drain Current
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
=2.5V
Output Characteristics
I
D
-
V
GS
=2,3,4,5,6,7,8,9,10V
1V
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
=4.5V
SOP-8
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0
5
10
15
20
I
D
D
Transfer Characteristics
T
J
=-55°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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