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参数资料
| 型号： | APM9966CKC-TR |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | 双N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | APM9966CKC-TR |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.3 - Mar., 2003
www.anpec.com.tw
6
APM9966/ C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
0
200
400
600
800
1000
1200
Typical Characteristics ( Cont.)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
C
Coss
Ciss
Crss
Gate Charge
Q
G
- Gate Charge (nC)
V
G
-
V
DS
=10V
I
D
=1A
Frequency=1MHz
0.0
0.2
V
SD
-Source-to-Drain Voltage (V)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.1
1
10
20
Source-Drain Diode Forward Voltage
I
S
-
T
J
=150°C
T
J
=25°C
0.01
0.1
1
10
0
20
40
60
80
P
Single Pulse Power
Time (sec)
30
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PDF描述 |
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参数描述 |
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