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参数资料
| 型号： | APM9966OC-TR |
| 厂商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | 双N沟道增强型MOS管 |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | APM9966OC-TR |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.3 - Mar., 2003
www.anpec.com.tw
5
APM9966/ C
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0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
Typical Characteristics ( Cont.)
R
D
-
)
On-Resistance vs. Drain Current
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
=2.5V
V
GS
=4.5V
TSSOP-8
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
R
D
-
)
I
D
=6A
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
R
D
-
)
(
On-Resistance vs. Junction Temperature
V
GS
=4.5V
ID
=6A
T
J
- Junction Temperature (°C)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
R
D
-
)
I
D
=6A
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
TSSOP-8
SOP-8
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PDF描述 |
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